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Título: Tecnologias em sistemas de circuitos integrados
Autor(es): Silva, Matheus Vidoti da
Orientador(es): Neli, Roberto Ribeiro
Palavras-chave: Semicondutores complementares de óxido metálico
Circuitos integrados
Transistores
Semicondutores
Metal oxide semiconductors, Complementary
Integrated circuits
Transistors
Semiconductors
Data do documento: 18-Jun-2018
Editor: Universidade Tecnológica Federal do Paraná
Câmpus: Campo Mourao
Referência: SILVA, Matheus Vidoti da. Tecnologias em sistemas de circuitos integrados. 2018. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Engenharia Eletrônica) – Universidade Tecnológica Federal do Paraná, Campo Mourão, 2018.
Resumo: O crescente mercado de semicondutores faz com que cada vez mais pesquisas sejam direcionadas a esta área que tem como principal tecnologia a CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor, semicondutor de metal-óxido complementar). Este trabalho é uma revisão bibliográfica baseada principalmente nas bases de dados IEEE e Science Direct. A Lei de Moore é apresentada e seu fim é questionado. São discutidas as consequências que limitam a redução do tamanho do transistor CMOS, e que o limite seja de aproximadamente 20 nm para o comprimento do canal. Por fim são apresentadas tecnologias como o CNTFET (Carbon nanotube field-effect transistor, transistor de efeito de campo de nanotubo de carbono) e o SpinFET (Spin field-effect transistor, transistor de efeito de campo de spin), que tem um potencial para substituírem a tecnologia CMOS.
Abstract: The crescent semiconductor market aims more and more researches at it’s main technology, CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor). This paper is a literature review based on the databases IEEE and Science Direct. The Moore’s Law is presented and its end is questioned. Also, the consequences that limit CMOS transistors scaling are discussed, which would be approximately 20 nm for the gate length. Lastly, new technologies that have a potential to overcome CMOS technologies, as the CNTFET (Carbon nanotube field-effect transistor) and SpinFET (Spin field-effect transistor), are presented.
URI: http://repositorio.roca.utfpr.edu.br/jspui/handle/1/13619
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